中子辐照砷化镓的快速退火行为的正电子寿命研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘键; 王佩璇; 王耘波; 王文华; 魏龙 ; 张天保
|
| 刊名 | 半导体
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 期号 | 3页码:15-31 |
| 关键词 | GaAs 中子辐照 正电子湮没技术 快速退火 空位缺陷 |
| 其他题名 | PSITRON LIFETIME STUDY OF THE RAPID ANNEALING BEHAVIOR OF NEUTRON IRRADIATED GaAs |
| 中文摘要 | 用正电子湮没技术研究了中子辐照半绝缘ＧａＡｓ的快速退火行为。结果表明：辐照引入的空位缺陷浓度与辐照剂量有关。退火过程中的空位团的分解和聚合与退火温度和辐照剂量关。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221530]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘键,王佩璇,王耘波,等. 中子辐照砷化镓的快速退火行为的正电子寿命研究[J]. 半导体,1997(3):15-31. |
| APA | 刘键,王佩璇,王耘波,王文华,魏龙,&张天保.(1997).中子辐照砷化镓的快速退火行为的正电子寿命研究.半导体(3),15-31. |
| MLA | 刘键,et al."中子辐照砷化镓的快速退火行为的正电子寿命研究".半导体 .3(1997):15-31. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。