Mo沉积成膜质量与磁控溅射条件间关系的STM研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黎刚 ; 杨海强; 王俊; 崔明启
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| 刊名 | 电子显微学报
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| 出版日期 | 1997 |
| 期号 | 4页码:453-454 |
| 关键词 | 磁控溅射 Mo STM 晶粒间 线度 界变 沉积时间 表面形貌 加速电压 粗糙度 |
| 通讯作者 | 黎刚 |
| 中文摘要 | 利用扫描遂道显微镜（ＳＴＭ）和Ｘ射线小角衍射（ＳＡＸＲＤ）研究了几种经常使用的直流磁控溅射条件（包括：Ａｒ气压强０６Ｐａ、溅射电流１００ｍＡ、２００ｍＡ及Ａｒ气压强０４Ｐａ、溅射电流１００ｍＡ三种条件）下所沉积的Ｍｏ单层薄膜的质量及相同溅射条件下不同溅射时间（３５ｓ到２２０ｓ）对成膜质量的影响。实验的结果表明：降低Ａｒ气压强提高溅射电流（即提高氩离子加速电压）都会使形成的薄膜更致密表面更光滑。相同条件下随沉积时间的增加，薄膜的晶粒线度随之增大，晶粒间界变得明显粗糙度变大。几乎所有的样品都观察到晶粒生长有明显的优先取向。用溅射沉积成膜的物理过程对以上结果作了解释 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221537]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黎刚,杨海强,王俊,等. Mo沉积成膜质量与磁控溅射条件间关系的STM研究[J]. 电子显微学报,1997(4):453-454. |
| APA | 黎刚,杨海强,王俊,&崔明启.(1997).Mo沉积成膜质量与磁控溅射条件间关系的STM研究.电子显微学报(4),453-454. |
| MLA | 黎刚,et al."Mo沉积成膜质量与磁控溅射条件间关系的STM研究".电子显微学报 .4(1997):453-454. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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