硅中掺杂元素砷的三维微分析
文献类型:期刊论文
作者 | 刘亚雯; 范钦敏; 吴应荣; 魏成连; 肖辉 |
刊名 | 光谱学与光谱分析
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出版日期 | 1997 |
期号 | 4页码:96-104 |
关键词 | 同步辐射 全反射 三维分布 |
其他题名 | THREE-DIMENSIONAL MICROANALYSIS OF ARSENIC IMPURITY IN SILICON |
通讯作者 | 刘亚雯 |
中文摘要 | 用同步辐射X光微区分析和全反射X射线荧光分析技术测定了硅中掺杂元素砷浓度的三维分布。其中深度剖面分布的测定结果与二次离子质谱进行了对照,两者的一致性是比较满意的。 |
公开日期 | 2016-02-25 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221546] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘亚雯,范钦敏,吴应荣,等. 硅中掺杂元素砷的三维微分析[J]. 光谱学与光谱分析,1997(4):96-104. |
APA | 刘亚雯,范钦敏,吴应荣,魏成连,&肖辉.(1997).硅中掺杂元素砷的三维微分析.光谱学与光谱分析(4),96-104. |
MLA | 刘亚雯,et al."硅中掺杂元素砷的三维微分析".光谱学与光谱分析 .4(1997):96-104. |
入库方式: OAI收割
来源:高能物理研究所
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