X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响
文献类型:期刊论文
作者 | 朱海军; 蒋最敏; 郑文莉![]() ![]() |
刊名 | 物理学报
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出版日期 | 1997 |
期号 | 9页码:5 |
关键词 | 异质外延 Ge X射线衍射研究 表面活化剂 外延层 高能电子衍射 缓冲层 衍射技术 岛状 外延生长 |
其他题名 | SURFACTANT EFFECTON THE STRUCTUREOF THIN Ge HETEROEPILAYERS STUDIED BY X-RAY DIFFRACTION |
中文摘要 | 利用原位的反射式高能电子衍射和非原位的X射线衍射技术,研究了活化剂Sb对于Ge在Si上外延过程的影响.当没有活化剂、Ge层厚度为6nm时,外延Ge层形成岛状,应力完全释放.当有Sb时、Ge在Si上的生长是二维的,并且应力释放是缓慢的,即使Ge外延层厚为6nm,仍有42%的应变没有弛豫. |
公开日期 | 2016-02-25 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221580] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 中国科学院高能物理研究所_人力资源处 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱海军,蒋最敏,郑文莉,等. X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响[J]. 物理学报,1997(9):5. |
APA | 朱海军.,蒋最敏.,郑文莉.,姜晓明.,徐阿妹.,...&王迅.(1997).X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响.物理学报(9),5. |
MLA | 朱海军,et al."X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响".物理学报 .9(1997):5. |
入库方式: OAI收割
来源:高能物理研究所
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