中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响

文献类型:期刊论文

作者朱海军; 蒋最敏; 郑文莉; 姜晓明; 徐阿妹; 毛明春; 胡冬枝; 张翔九; 王迅
刊名物理学报
出版日期1997
期号9页码:5
关键词异质外延 Ge X射线衍射研究 表面活化剂 外延层 高能电子衍射 缓冲层 衍射技术 岛状 外延生长
其他题名SURFACTANT EFFECTON THE STRUCTUREOF THIN Ge HETEROEPILAYERS STUDIED BY X-RAY DIFFRACTION
中文摘要利用原位的反射式高能电子衍射和非原位的X射线衍射技术,研究了活化剂Sb对于Ge在Si上外延过程的影响.当没有活化剂、Ge层厚度为6nm时,外延Ge层形成岛状,应力完全释放.当有Sb时、Ge在Si上的生长是二维的,并且应力释放是缓慢的,即使Ge外延层厚为6nm,仍有42%的应变没有弛豫.
公开日期2016-02-25
源URL[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221580]  
专题高能物理研究所_多学科研究中心
中国科学院高能物理研究所_人力资源处
推荐引用方式
GB/T 7714
朱海军,蒋最敏,郑文莉,等. X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响[J]. 物理学报,1997(9):5.
APA 朱海军.,蒋最敏.,郑文莉.,姜晓明.,徐阿妹.,...&王迅.(1997).X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响.物理学报(9),5.
MLA 朱海军,et al."X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响".物理学报 .9(1997):5.

入库方式: OAI收割

来源:高能物理研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。