FeMnSi系SMA预应变过程的正电子湮没研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 夏瑞东; 刘涛; 刘冠威; 马如璋; 王文华; 郭应焕 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 1页码:62-66 |
| 关键词 | 形状记忆合金 缺陷结构 正电子湮没 马氏体相变 |
| 其他题名 | POSITRON ANNIHILATION ST UDIES ON PRESTRAIN IN FeMnSi SHAPE M EMO RY ALLOYS |
| 中文摘要 | 用正电子湮没技术对一系列ＦｅＭｎＳｉ基形状记忆合金的预应变过程进行了研究。结果显示形变过程中不同阶段缺陷结构的变化及其对合金成分的依赖关系，并就不同缺陷结构对合金形状记忆效应的影响进行了讨论。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221625]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 夏瑞东,刘涛,刘冠威,等. FeMnSi系SMA预应变过程的正电子湮没研究[J]. 功能材料与器件学报,1998(1):62-66. |
| APA | 夏瑞东,刘涛,刘冠威,马如璋,王文华,&郭应焕.(1998).FeMnSi系SMA预应变过程的正电子湮没研究.功能材料与器件学报(1),62-66. |
| MLA | 夏瑞东,et al."FeMnSi系SMA预应变过程的正电子湮没研究".功能材料与器件学报 .1(1998):62-66. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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