高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭晓旭; 朱美芳; 刘金龙; 韩一琴; 许怀哲; 董宝中; 生文君; 韩和相 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 9页码:89-94 |
| 关键词 | 微晶硅薄膜 薄膜微结构 晶化过程 稀释度 晶态 微空洞 衬底温度 红外谱 散射强度 小角 |
| 其他题名 | MICROSTRUCTURESOF THE MICRO-CRYSTALLINE SILICON THIN FILMS PREPARED BY HOT WIRE CHEMICAL DEPOSITION WITH HYDROGEN DILUTION |
| 中文摘要 | 采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜．其结构特征用Ｒａｍａｎ谱，红外透射谱，小角Ｘ射线散射等来表征．结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比χｃ随氢稀释度的提高而增加．而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减少．小角Ｘ射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加．结合红外谱和小角Ｘ射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中Ｈ的键合状态．认为随着晶化的发生和晶化程度的提高Ｈ逐渐移向晶粒表面，在硅薄膜中Ｈ的存在形式从以ＳｉＨ为主向ＳｉＨ２转变，即在微晶硅膜中主要以ＳｉＨ２形式存在于晶粒的界面． |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221666]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭晓旭,朱美芳,刘金龙,等. 高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究[J]. 物理学报,1998(9):89-94. |
| APA | 郭晓旭.,朱美芳.,刘金龙.,韩一琴.,许怀哲.,...&韩和相.(1998).高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究.物理学报(9),89-94. |
| MLA | 郭晓旭,et al."高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究".物理学报 .9(1998):89-94. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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