热中子辐照 GaAs 损伤研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 夏宗璜; 刘士杰; 杨胜东 |
| 刊名 | 原子能科学技术
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 4页码:60-64 |
| 关键词 | GaAs 热中子 辐照损伤 |
| 其他题名 | INVESTIGATION ON RADIATION DAMAGE OF GaAs BY THERMAL NEUTRON IRRADIATION |
| 中文摘要 | 在热中子与快中子成份比大于７０的条件下，用６．５×１０１６ｃｍ－２和６．５×１０１８ｃｍ－２剂量水平辐照纯净ＧａＡｓ样品，研究由于嬗变产生的杂质和损伤。所得结果表明：热中子对Ｇａ、Ａｓ发生俘获核反应，其最终稳定产物Ｇｅ作为两性杂质元素被导入；复杂的移位缺陷形成及其热行为是影响辐照后ＧａＡｓ电学性质变化的重要因素。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221673]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 夏宗璜,刘士杰,杨胜东. 热中子辐照 GaAs 损伤研究[J]. 原子能科学技术,1998(4):60-64. |
| APA | 夏宗璜,刘士杰,&杨胜东.(1998).热中子辐照 GaAs 损伤研究.原子能科学技术(4),60-64. |
| MLA | 夏宗璜,et al."热中子辐照 GaAs 损伤研究".原子能科学技术 .4(1998):60-64. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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