中子辐照GaAs的X射线漫散射研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘键; 王佩璇 |
| 刊名 | 材料研究学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 1页码:99-102 |
| 关键词 | 中子辐照 GaAs X射线漫散射 |
| 其他题名 | STUDY OF NEUTRON IRRADIATED Si-GaAs BY X RAY DIFFUSE SCATTERING |
| 通讯作者 | 刘键 |
| 中文摘要 | 用X射线漫散射研究了中子辐照GaAs中的缺陷．结果表明：中子辐照产生点缺陷团．辐照剂量为1019m－2和1021m－2时，缺陷团的平均半径分别为387nm和455nm．这可能是高剂量辐照下损伤区域交叠的结果．平均半径随退火温度的升高而减小是间隙原子与空位复合造成的． |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221690]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘键,王佩璇. 中子辐照GaAs的X射线漫散射研究[J]. 材料研究学报,1999(1):99-102. |
| APA | 刘键,&王佩璇.(1999).中子辐照GaAs的X射线漫散射研究.材料研究学报(1),99-102. |
| MLA | 刘键,et al."中子辐照GaAs的X射线漫散射研究".材料研究学报 .1(1999):99-102. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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