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软X射线辐照引起的InP表面电子态变化

文献类型:期刊论文

作者杨志安; 靳涛; 杨祖慎; 奎热西; 崔明启; 刘风琴
刊名物理学报
出版日期1999
期号6页码:1113-1118
关键词表面电子态 InP 紫外光电子能谱 辐照效应 射线能量 电子组态 化学位移 悬挂键 原子比 杂化
其他题名CHANGESOF SURFACE ELECTRON STATESOF InP UNDER SOFT X-RAYS IRRADIATION
中文摘要采用X光电子能谱(XPS)和紫外光电子能谱(UPS)研究了软X射线辐照InP所产生的表面电子态的变化.实验结果表明,软X射线的照射,对In原子影响不大,而对P原子影响很大.分析了InP的辐照效应机理,解释了产生上述影响的原因
公开日期2016-02-25
源URL[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221730]  
专题高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
杨志安,靳涛,杨祖慎,等. 软X射线辐照引起的InP表面电子态变化[J]. 物理学报,1999(6):1113-1118.
APA 杨志安,靳涛,杨祖慎,奎热西,崔明启,&刘风琴.(1999).软X射线辐照引起的InP表面电子态变化.物理学报(6),1113-1118.
MLA 杨志安,et al."软X射线辐照引起的InP表面电子态变化".物理学报 .6(1999):1113-1118.

入库方式: OAI收割

来源:高能物理研究所

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