中子辐照 GaAs 缺陷的退火行为研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘键; 王佩璇; 张灶利 |
| 刊名 | 稀有金属
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 5页码:336-339 |
| 关键词 | 中子辐照 GaAs 缺陷 |
| 其他题名 | Study on Rapid Annealing Behavior of GaAs Defects Induced by Neutron Irradiation |
| 通讯作者 | 刘键 |
| 中文摘要 | 采用霍尔测量、沟道卢瑟福背散射（ 沟道 Ｒ Ｂ Ｓ） 以及低温光荧光方法对中子辐照 Ｇａ Ａｓ 缺陷的快速退火行为进行了研究。嬗变杂质锗未能全部激活的原因之一是部分锗原子占据砷位形成受主。在快速退火过程中可形成反位缺陷 Ｇａ Ａｓ（ Ｅｖ ＋ ２００ ｍｅ Ｖ） 以及复合缺陷 Ｉ Ｇａ － Ｖ Ａｓ 。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221732]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘键,王佩璇,张灶利. 中子辐照 GaAs 缺陷的退火行为研究[J]. 稀有金属,1999(5):336-339. |
| APA | 刘键,王佩璇,&张灶利.(1999).中子辐照 GaAs 缺陷的退火行为研究.稀有金属(5),336-339. |
| MLA | 刘键,et al."中子辐照 GaAs 缺陷的退火行为研究".稀有金属 .5(1999):336-339. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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