在同步辐射软X射线能区硅光电二极管的自标定
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张东清; 崔明启 ; 朱佩平; 赵屹东; 崔聪悟
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| 刊名 | 高能物理与核物理
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| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 6页码:578-584 |
| 关键词 | 同步辐射 硅光电二极管 自标定 量子效率 |
| 其他题名 | Self-calibration of Silicon Photodiode in the Soft X-Ray Spectral Range |
| 通讯作者 | 张东清 |
| 中文摘要 | 在同步辐射软X光能区 ( 50— 2 0 0 0eV)进行了硅光电二极管的自标定实验 .因为消除了二极管的死区”并采用很薄层的SiO2 作窗 ,使得可以用简单的模型来分析实验结果 .由实验测得的光电流 ,计算出硅光电二极管的量子效率 ,并求得入射同步辐射的光通量 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221758]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张东清,崔明启,朱佩平,等. 在同步辐射软X射线能区硅光电二极管的自标定[J]. 高能物理与核物理,2000(6):578-584. |
| APA | 张东清,崔明启,朱佩平,赵屹东,&崔聪悟.(2000).在同步辐射软X射线能区硅光电二极管的自标定.高能物理与核物理(6),578-584. |
| MLA | 张东清,et al."在同步辐射软X射线能区硅光电二极管的自标定".高能物理与核物理 .6(2000):578-584. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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