Yb∶YAG晶体的生长缺陷及位错走向
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨培志; 邓佩珍; 殷之文; 田玉莲 |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 4页码:399-403 |
| 关键词 | Yb∶YAG晶体 生长缺陷 同步辐射形貌相 应力双折射 位错走向 |
| 其他题名 | Study on Growth Defects and Dislocation Propagation in YbBYAG |
| 中文摘要 | 用同步辐射透射白光形貌相和应力双折射法研究了沿 111 方向生长的Yb∶YAG晶体的生长缺陷、晶体中的位错起源和走向。Yb∶YAG晶体中的生长缺陷主要有 :生长条纹、核心和位错等。晶体中的位错主要起源于籽晶、杂质粒子以及生长初期的晶种和固液界面处位错成核。位错的走向垂直于生长界面 ,符合能量最低原理。采用凸界面生长工艺可以有效的消除晶体中的位错。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221790]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨培志,邓佩珍,殷之文,等. Yb∶YAG晶体的生长缺陷及位错走向[J]. 人工晶体学报,2000(4):399-403. |
| APA | 杨培志,邓佩珍,殷之文,&田玉莲.(2000).Yb∶YAG晶体的生长缺陷及位错走向.人工晶体学报(4),399-403. |
| MLA | 杨培志,et al."Yb∶YAG晶体的生长缺陷及位错走向".人工晶体学报 .4(2000):399-403. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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