一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘泽文; 刘理天; 伊福廷 ; 李志坚
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| 刊名 | 微细加工技术
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| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 4页码:45-49 |
| 关键词 | X射线 光刻 LIGA MEMS 掩模 |
| 其他题名 | Fabrication of Double Side Alignment Si LIGA;Mask |
| 中文摘要 | 深X射线光刻是制作高深宽比MEMS结构的一个重要方法。提出一种基于硅工艺和双面对准技术的LIGA掩模技术 ,工艺十分简单。采用该掩模 ,可进一步解决深X射线光刻中的重复对准多次曝光问题。给出了该掩模设计制作工艺过程及深X射线光刻结果。整个过程包括沉淀氮化硅、采用KarlSuss双面对准曝光机进行UV光刻、电化学淀积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑膜等。利用该掩模在北京BEPC的X射线光刻光束线上进行曝光 ,获得了满意结果。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221795]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘泽文,刘理天,伊福廷,等. 一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究[J]. 微细加工技术,2000(4):45-49. |
| APA | 刘泽文,刘理天,伊福廷,&李志坚.(2000).一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究.微细加工技术(4),45-49. |
| MLA | 刘泽文,et al."一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究".微细加工技术 .4(2000):45-49. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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