MBE of GaN with DC-plasma source for nitrogen activation
文献类型：期刊论文
| 作者 | Novikov SV ; Kipshidze GD ; Lebedev VB ; Sharonova LV ; Shik AY ; Tretyakov VV ; Jmerik VN ; Kuznetsov VM ; Gurevich AM ; Zinovev NN ; Foxon CT ; Cheng TS ; Ren GB |
| 刊名 | compound semiconductors 1996
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 期号 | 155页码:255-258 |
| 关键词 | NITRIDES GROWTH |
| ISSN号 | 0951-3248 |
| 通讯作者 | novikov sv af ioffe phys tech instpolitekhnicheskaya 26st petersburg 194021russia. |
| 中文摘要 | in this paper we report on the first results of epitaxial growth of gan layers on gaas (100) substrates using a modified mbe system, equipped with a dc-plasma source for nitrogen activation in configuration of reverse magnetron at ultra-low pressures. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-17 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15179]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Novikov SV,Kipshidze GD,Lebedev VB,et al. MBE of GaN with DC-plasma source for nitrogen activation[J]. compound semiconductors 1996,1997(155):255-258. |
| APA | Novikov SV.,Kipshidze GD.,Lebedev VB.,Sharonova LV.,Shik AY.,...&Ren GB.(1997).MBE of GaN with DC-plasma source for nitrogen activation.compound semiconductors 1996(155),255-258. |
| MLA | Novikov SV,et al."MBE of GaN with DC-plasma source for nitrogen activation".compound semiconductors 1996 .155(1997):255-258. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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