几种半导体器件的硬X射线剂量增强效应研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭红霞; 韩福斌; 陈雨生; 周辉; 贺朝会; 谢亚宁 ; 黄宇营; 何伟; 胡天斗
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| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 10页码:811-816 |
| 关键词 | CMOS EEPROM X射线 剂量增强效应 同步辐射 |
| 其他题名 | Study of hard X-ray dose enhancement ef fects for some kinds of semiconductor devices |
| 中文摘要 | 本文给出了大规模集成电路CMOS4 0 6 9、浮栅ROM器件在北京同步辐射装置 (BSRF)和钴源辐照的X射线剂量增强效应实验结果。通过实验在线测得CMOS4 0 6 9阈值电压漂移随总剂量的变化 ,测得 2 8f 2 5 6、2 9c2 5 6位错误数随总剂量的变化 ,给出相同累积剂量时X光辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系。这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221928]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭红霞,韩福斌,陈雨生,等. 几种半导体器件的硬X射线剂量增强效应研究[J]. 核技术,2002(10):811-816. |
| APA | 郭红霞.,韩福斌.,陈雨生.,周辉.,贺朝会.,...&胡天斗.(2002).几种半导体器件的硬X射线剂量增强效应研究.核技术(10),811-816. |
| MLA | 郭红霞,et al."几种半导体器件的硬X射线剂量增强效应研究".核技术 .10(2002):811-816. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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