调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谭伟石; 沙昊; 沈波; 蔡宏灵; 吴小山; 蒋树声; 郑文莉 ; 贾全杰; 姜晓明
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| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 10页码:799-804 |
| 关键词 | AlxGa1-xN/GaN异质结构 高分辨X射线衍射 微结构 应变 弛豫线模型 |
| 其他题名 | Microstrain in modulation -doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures |
| 中文摘要 | 用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,势垒层内部微结构与应变状态和下层i -GaN的微结构与应变状态互相关联 ,当厚度大于 75 0 时 ,势垒层开始发生应变弛豫 ,临界厚度大于5 0 0 。势垒层具有一种非常规”应变弛豫状态 ,这种状态的来源可能与n -AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α -Al2 O3界面应变弛豫状态有关 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221933]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 中国科学院高能物理研究所_人力资源处 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谭伟石,沙昊,沈波,等. 调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变[J]. 核技术,2002(10):799-804. |
| APA | 谭伟石.,沙昊.,沈波.,蔡宏灵.,吴小山.,...&姜晓明.(2002).调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变.核技术(10),799-804. |
| MLA | 谭伟石,et al."调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变".核技术 .10(2002):799-804. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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