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YVO_4晶体缺陷分析

文献类型:期刊论文

作者邹宇琦; 李新军; 徐军; 干福熹; 田玉莲; 黄万霞
刊名人工晶体学报
出版日期2002
期号1页码:14-17
关键词YVO4晶体 缺陷 同步辐射白光X射线形貌术 电子探针仪
其他题名Study on Defects of YVO4 Crystal
中文摘要运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4 的结构和缺陷行为 ,也观测了YVO4 晶体 (0 0 1)、(10 0 )面的缺陷。发现在 (0 0 1)面出现应力生长区、沿 [10 0 ]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构。运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑 ,证明晶体为四方晶系。确定了小角晶界是引起多晶的主要原因。采用电子探针仪分析了散射颗粒形成是由杂质铁和铝的引入造成
公开日期2016-02-25
源URL[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221953]  
专题高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
邹宇琦,李新军,徐军,等. YVO_4晶体缺陷分析[J]. 人工晶体学报,2002(1):14-17.
APA 邹宇琦,李新军,徐军,干福熹,田玉莲,&黄万霞.(2002).YVO_4晶体缺陷分析.人工晶体学报(1),14-17.
MLA 邹宇琦,et al."YVO_4晶体缺陷分析".人工晶体学报 .1(2002):14-17.

入库方式: OAI收割

来源:高能物理研究所

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