x光纳米光刻掩模的离子束制备法
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩勇 ; 彭良强; 巨新; 伊福廷; 张菊芳; 吴自玉
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| 刊名 | 微纳电子技术
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 1页码:44-45 |
| 关键词 | 纳米光刻 纳米线 x光掩模 |
| 其他题名 | FABRICATION OF MASK FOR X-RAY NANOLITHOGRAPHY BY ION BEAM |
| 通讯作者 | 韩勇 |
| 中文摘要 | 重离子束轰击聚碳酸酯后,对样品进行陈化和紫外线照射敏化,在优化条件下蚀刻后得到纳米孔径核孔膜。利用电化学沉积技术在核孔膜中制备了最小孔径为30纳米的铜纳米线。获得的铜纳米线/聚碳酸酯可以作为x光纳米光刻的掩模。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221956]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩勇,彭良强,巨新,等. x光纳米光刻掩模的离子束制备法[J]. 微纳电子技术,2002(1):44-45. |
| APA | 韩勇,彭良强,巨新,伊福廷,张菊芳,&吴自玉.(2002).x光纳米光刻掩模的离子束制备法.微纳电子技术(1),44-45. |
| MLA | 韩勇,et al."x光纳米光刻掩模的离子束制备法".微纳电子技术 .1(2002):44-45. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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