不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭红霞; 陈雨生; 韩福斌; 罗剑辉; 杨善潮; 龚建成; 谢亚宁 ; 黄宇营; 何伟; 胡天斗
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| 刊名 | 高能物理与核物理
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| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 12页码:1142-1146 |
| 关键词 | 静态存储器 X射线 剂量增强效应 同步辐射 |
| 其他题名 | Study on Hard X-Rays Dose Enhancement Effects for SRAM with Different Integration |
| 中文摘要 | 给出了不同集成度 16K— 4Mb随机静态存储器SRAM在钴源和北京同步辐射装置BSRF3W1白光束线辐照的实验结果 ;通过实验在线测得SRAM位错误数随总剂量的变化 ,给出相同辐照剂量时 2 0— 10 0keVX光辐照和Co60 γ射线辐照的剂量损伤效应的比例因子 ;给出集成度不同的SRAM器件抗γ射线总剂量损伤能力与集成度的关系 ;给出不同集成度SRAM器件的X射线损伤阈值 .这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值 . |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222017]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭红霞,陈雨生,韩福斌,等. 不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究[J]. 高能物理与核物理,2003(12):1142-1146. |
| APA | 郭红霞.,陈雨生.,韩福斌.,罗剑辉.,杨善潮.,...&胡天斗.(2003).不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究.高能物理与核物理(12),1142-1146. |
| MLA | 郭红霞,et al."不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究".高能物理与核物理 .12(2003):1142-1146. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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