半导体量子阱材料的自由电子激光辐照效应及OTCS测试研究
文献类型:期刊论文
作者 | 邹睿; 林理彬; 张猛; 张国庆![]() |
刊名 | 强激光与粒子束
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出版日期 | 2003 |
期号 | 1页码:33-36 |
关键词 | 量子阱 自由电子激光辐照 低温光荧光谱 红移 光瞬态电流谱 |
其他题名 | Study on GaAs/AlGaAs multiple quantum wells irradiated by free electron laser and OTCS measurement |
中文摘要 | 利用低温光荧光谱(PL)和光瞬态电流谱(OTCS)研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料的光学性质以及缺陷能级的影响。用波长为8.92μm,光功率密度相应于电场强度为20kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60min,分析PL谱发现量子阱特征峰(797nm)经过辐照后峰值发生红移至812nm,波形展宽,峰高降低。分析OTCS谱发现自由电子激光辐照引入了新的缺陷能级,量子阱结构发生变化,对此结果进行了讨论,并与电子辐照的情况做了比较。 |
公开日期 | 2016-02-25 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222059] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 高能物理研究所_实验物理中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹睿,林理彬,张猛,等. 半导体量子阱材料的自由电子激光辐照效应及OTCS测试研究[J]. 强激光与粒子束,2003(1):33-36. |
APA | 邹睿,林理彬,张猛,张国庆,&李永贵.(2003).半导体量子阱材料的自由电子激光辐照效应及OTCS测试研究.强激光与粒子束(1),33-36. |
MLA | 邹睿,et al."半导体量子阱材料的自由电子激光辐照效应及OTCS测试研究".强激光与粒子束 .1(2003):33-36. |
入库方式: OAI收割
来源:高能物理研究所
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