自由电子激光对GaAs/AlGaAs异质结构材料电学性质的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张猛; 林理彬; 邹睿; 张国庆 ; 李永贵
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| 刊名 | 中国激光
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| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 7页码:593-596 |
| 关键词 | 激光技术 电学性质 自由电子激光 异质结构材料 二维电子气 辐照效应 |
| 其他题名 | INVESTIGATION OF ELECTRICITY PROPERTY OF GaAs/AlGaAs HETEROSTRUCTURE MATERIAL INFLUENCED BY FEL |
| 中文摘要 | 自由电子激光(FEL)辐照样品前和辐照样品时,使用变温霍尔测量系统测试了这种n型调制掺杂GaAs/AlGaAs异质结构材料中准二维电子气(2DEG)的迁移率、电子浓度和电阻率。对比这两种情况下的结果可以发现:1)迁移率随温度升高而降低,光照使迁移率增大;2)电子浓度随温度变化关系相对较为复杂,但是平均而言,光照会使电子浓度减小;3)电阻率随温度升高而升高,光照使电阻率减小,但这种影响不明显。对这些现象给出了具体的分析。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222082]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 高能物理研究所_实验物理中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张猛,林理彬,邹睿,等. 自由电子激光对GaAs/AlGaAs异质结构材料电学性质的影响[J]. 中国激光,2003(7):593-596. |
| APA | 张猛,林理彬,邹睿,张国庆,&李永贵.(2003).自由电子激光对GaAs/AlGaAs异质结构材料电学性质的影响.中国激光(7),593-596. |
| MLA | 张猛,et al."自由电子激光对GaAs/AlGaAs异质结构材料电学性质的影响".中国激光 .7(2003):593-596. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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