自由电子激光辐照半导体多量子阱的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邹睿; 林理彬; 张猛; 张国庆 ; 李永贵
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| 刊名 | 中国激光
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| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 9页码:852-854 |
| 关键词 | 激光技术 量子阱 自由电子激光辐照 低温光荧光谱 红移 |
| 其他题名 | Free Electron Laser Irradiation Effects of GaAs/AlGaAs Quantum Wel ls |
| 中文摘要 | 利用低温光荧光谱研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响。用波长为 8 92μm ,光功率密度相应于电场强度为 2 0kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱 6 0min ,发现量子阱特征峰 797nm经过辐照后峰值发生红移至 812nm ,波形展宽 ,峰高降低。对此结果进行了讨论 ,并与电子辐照的情况做了比较。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222083]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 高能物理研究所_实验物理中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹睿,林理彬,张猛,等. 自由电子激光辐照半导体多量子阱的研究[J]. 中国激光,2003(9):852-854. |
| APA | 邹睿,林理彬,张猛,张国庆,&李永贵.(2003).自由电子激光辐照半导体多量子阱的研究.中国激光(9),852-854. |
| MLA | 邹睿,et al."自由电子激光辐照半导体多量子阱的研究".中国激光 .9(2003):852-854. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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