利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 伊福廷 ; 缪鹏; 彭良强; 张菊芳; 韩勇
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 1页码:26-29 |
| 关键词 | MEMS SU8胶 微加工 背面曝光 |
| 其他题名 | A New Method for Fabrication of SU8 Structures with a High Aspect Ratio Using aMask-Back Exposure Technique |
| 通讯作者 | 伊福廷 |
| 中文摘要 | 提出了一种解决大高宽比 SU 8结构的新方法 .该方法是将 SU 8胶涂在一块掩模上 ,紫外光从掩模的背面照射 ,这样 SU 8胶的曝光将从底部开始 ,不需要进行过曝光来保证底部胶的曝光剂量 ,从而很容易控制曝光剂量和SU 8胶结构的内应力 .实验结果表明 ,该方法能够得到高宽比为 32的 SU 8结构 ,而文献报道的 SU 8胶结构的高宽比最大仅为 18 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222096]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊福廷,缪鹏,彭良强,等. 利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法(英文)[J]. 半导体学报,2004(1):26-29. |
| APA | 伊福廷,缪鹏,彭良强,张菊芳,&韩勇.(2004).利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法(英文).半导体学报(1),26-29. |
| MLA | 伊福廷,et al."利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法(英文)".半导体学报 .1(2004):26-29. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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