用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙加兴; 叶甜春; 陈大鹏; 谢常青; 伊福廷
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 3页码:358-360 |
| 关键词 | X射线光刻 PHEMT T型栅 三层胶工艺 |
| 其他题名 | Tri-Layer Resist Fabrication Technology of T-Shaped Gate Using X-Ray Lithography |
| 中文摘要 | 采用三层胶工艺 X射线光刻制作 T型栅 ,一次曝光 ,分步显影 ,基本解决了不同胶层间互融的问题 .该方法制作效率高 ,所制作的 T型栅形貌好 ,头脚比例可控 ,基本满足器件制作要求 . |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222097]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙加兴,叶甜春,陈大鹏,等. 用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅[J]. 半导体学报,2004(3):358-360. |
| APA | 孙加兴,叶甜春,陈大鹏,谢常青,&伊福廷.(2004).用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅.半导体学报(3),358-360. |
| MLA | 孙加兴,et al."用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅".半导体学报 .3(2004):358-360. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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