MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭冬云; 王耘波; 于军; 王雨田; 王宝义 ; 魏龙
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| 刊名 | 功能材料
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 2页码:180-182 |
| 关键词 | MFS结构 钛酸铋薄膜 C-V特性 |
| 其他题名 | Study of the C-V characteristics of the In/ Bi4Ti3O12/ p-Si structure |
| 中文摘要 | 利用sol gel方法在p Si(111)基底上制备钛酸铋薄膜。测量不同退火温度下得到的In/BTO/p Si结构的C V曲线,测量结果表明制备的MFS结构钛酸铋薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222118]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭冬云,王耘波,于军,等. MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究[J]. 功能材料,2004(2):180-182. |
| APA | 郭冬云,王耘波,于军,王雨田,王宝义,&魏龙.(2004).MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究.功能材料(2),180-182. |
| MLA | 郭冬云,et al."MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究".功能材料 .2(2004):180-182. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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