50 nm X射线光刻掩模制备关键技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 董立军; 陈大鹏; 谢常青; 韩敬东; 叶甜春; 伊福廷 ; 彭良强; 韩勇; 张菊芳
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| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 2页码:96-98 |
| 关键词 | X射线光刻 掩模 金刚石 吸收体 键合 |
| 其他题名 | Key technology of mask making for 50 nm X-ray lithography |
| 中文摘要 | X 射线光刻(XRL)采用约 1nm 波长的 X 射线，是一种接近式光刻。就光刻工艺性能而言，XRL 能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等，是其他光刻手段难以比拟的。由于不需要辅助工艺，因而工艺成本很低。掩模制造技术是 XRL 开发中最为困难的部分。本文介绍了适用于 50 nm XRL 的掩模制备的关键技术。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222131]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董立军,陈大鹏,谢常青,等. 50 nm X射线光刻掩模制备关键技术[J]. 核技术,2004(2):96-98. |
| APA | 董立军.,陈大鹏.,谢常青.,韩敬东.,叶甜春.,...&张菊芳.(2004).50 nm X射线光刻掩模制备关键技术.核技术(2),96-98. |
| MLA | 董立军,et al."50 nm X射线光刻掩模制备关键技术".核技术 .2(2004):96-98. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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