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AlGaN/GaN异质结构的X射线衍射研究

文献类型:期刊论文

作者谭伟石; 徐金; 蔡宏灵; 沈波; 吴小山; 蒋树声; 郑文莉; 贾全杰
刊名核技术
出版日期2004
期号6页码:413-416
关键词AlGaN/GaN异质结构 倒易空间Mapping 应变弛豫 掠入射X射线衍射
其他题名X-ray diffraction studies on AlGaN/GaN heterostructures
中文摘要在(0001)取向的蓝宝石(α-Al2O3)基片上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长了势垒层厚度为1000?的Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构;;利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术测量了样品的对称反射(0002)和非对称反射(1014)的倒易空间Mapping(RSM)。结果表明;;样品势垒层的内部微结构与应变状态和下层i-GaN的微结构与应变状态互相关联。样品势垒层的微应变已经发生弛豫;;而且具有一种非常规”应变弛豫状态;;这种弛豫状态的来源可能与n-AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α-Al2O3界面应变弛豫状态有关。掠入射X射线衍射研究表明样品内部的应变是不...
公开日期2016-02-25
源URL[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222132]  
专题高能物理研究所_多学科研究中心
中国科学院高能物理研究所_人力资源处
推荐引用方式
GB/T 7714
谭伟石,徐金,蔡宏灵,等. AlGaN/GaN异质结构的X射线衍射研究[J]. 核技术,2004(6):413-416.
APA 谭伟石.,徐金.,蔡宏灵.,沈波.,吴小山.,...&贾全杰.(2004).AlGaN/GaN异质结构的X射线衍射研究.核技术(6),413-416.
MLA 谭伟石,et al."AlGaN/GaN异质结构的X射线衍射研究".核技术 .6(2004):413-416.

入库方式: OAI收割

来源:高能物理研究所

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