X射线光刻技术应用现状与前景
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谢常青; 陈大鹏; 刘明; 叶甜春; 伊福廷
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| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 12页码:904-908 |
| 关键词 | 接近式X射线光刻 纳米电子学 单片微波集成电路 硅基超大规模集成电路 |
| 其他题名 | APPLICATION STATUS AND PROSPECT OF X-RAY LITHOGRAPHY TECHNOLOGY |
| 中文摘要 | 鉴于接近式X射线光刻技术具有高分辨率、大焦深、大曝光像场、高产量、大工艺宽容度、易于扩展到50nm及50nm以下规则等诸多优点,它非常适合应用于100nm及100nm以下集成电路的生产。本文首先简要介绍了国际上X射线光刻技术(PXL)现状,再分别介绍X射线光刻技术在纳米电子学研究、单片微波集成电路(MMIC)生产、硅基超大规模集成电路生产中的应用现状与前景,并对国内的X射线光刻技术的近期研究进展进行了简要介绍。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222141]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢常青,陈大鹏,刘明,等. X射线光刻技术应用现状与前景[J]. 核技术,2004(12):904-908. |
| APA | 谢常青,陈大鹏,刘明,叶甜春,&伊福廷.(2004).X射线光刻技术应用现状与前景.核技术(12),904-908. |
| MLA | 谢常青,et al."X射线光刻技术应用现状与前景".核技术 .12(2004):904-908. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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