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北京慢正电子强束流性能研究

文献类型:期刊论文

作者曹兴忠; 王宝义; 章志明; 魏存峰; 张天保; 薛德胜; 魏龙
刊名核技术
出版日期2004
期号6页码:435-439
关键词慢正电子 束流强度 传输效率 存贮效率
其他题名Performance study of the Beijing Intense Slow Positron Beam
通讯作者曹兴忠
中文摘要采用电子束流以及脉冲慢正电子束流对系统进行了调试,对束流系统的性能参数进行了测定和研究。实验结果表明,系统对于模拟电子的传输效率高于98%,电子束斑直径小于5mm。在目前加速器短脉冲的运行模式下,脉冲慢正电子束流的强度达到了105/s以上,IP成像板束流沉积形貌直径小于15mm,脉冲慢正电子束流微分能谱半高宽(FWHM)约为10eV;;在高于3×10?Pa的超高真空中,慢正电子在直流化管道内7存贮40ms后,束流强度减弱到原来的50%。系统各项性能运行参数达到了设计要求。
公开日期2016-02-25
源URL[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222144]  
专题高能物理研究所_多学科研究中心
高能物理研究所_核技术应用研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
曹兴忠,王宝义,章志明,等. 北京慢正电子强束流性能研究[J]. 核技术,2004(6):435-439.
APA 曹兴忠.,王宝义.,章志明.,魏存峰.,张天保.,...&魏龙.(2004).北京慢正电子强束流性能研究.核技术(6),435-439.
MLA 曹兴忠,et al."北京慢正电子强束流性能研究".核技术 .6(2004):435-439.

入库方式: OAI收割

来源:高能物理研究所

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