界面粗糙度对Co/Cu/Co/NiO自旋阀磁电阻的影响
文献类型:期刊论文
作者 | 张爱梅![]() ![]() |
刊名 | 核技术
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出版日期 | 2004 |
期号 | 7页码:485-488 |
关键词 | NiO自旋阀 X射线镜面反射和散射 界面粗糙度 |
其他题名 | EFFECT OF INTERFACIAL ROUGHNESS ON MAGNETORESISTANCE OF Co/Cu/Co/NiO SPIN VALVE |
中文摘要 | 用磁控溅射方法制备了一系列含NiO反铁磁层的Co/Cu/Co自旋阀结构。电磁输运测量表明,对相同Co/Cu/Co结构的自旋阀,NiO在自旋阀的顶部(TSV)和在自旋阀的底部(BSV)表现了不同的磁电阻值和热稳定特性。X射线镜面反射和横向漫散射测量证明小的界面粗糙度是导致磁电阻增大的主要原因,而Co与NiO层间的耦合减弱将导致MR减小,两者共同的作用决定了含NiO的自旋阀的磁电阻。我们由此设计实验将:BSV自旋阀的磁电阻值提高近1倍,即达到-12%,而对称自旋阀的磁电阻则提高到15%。 |
公开日期 | 2016-02-25 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222156] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 高能物理研究所_粒子天体物理中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张爱梅,吴小山,孙亮,等. 界面粗糙度对Co/Cu/Co/NiO自旋阀磁电阻的影响[J]. 核技术,2004(7):485-488. |
APA | 张爱梅.,吴小山.,孙亮.,蔡宏灵.,杜军.,...&吴忠华.(2004).界面粗糙度对Co/Cu/Co/NiO自旋阀磁电阻的影响.核技术(7),485-488. |
MLA | 张爱梅,et al."界面粗糙度对Co/Cu/Co/NiO自旋阀磁电阻的影响".核技术 .7(2004):485-488. |
入库方式: OAI收割
来源:高能物理研究所
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