硫化法制备FeS_2薄膜晶体结构和表面特性的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张辉; 王宝义 ; 张仁刚; 万冬云; 马创新; 周春兰; 魏龙
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| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 12页码:939-942 |
| 关键词 | 磁控溅射 热硫化 二硫化铁 X射线光电子能谱 |
| 其他题名 | STUDY ON STRUCTURAL AND SURFACE PROPERTIES OF FeS2 THIN FILMS PREPARED BY SULFIDATION |
| 通讯作者 | 张辉 |
| 中文摘要 | 采用磁控溅射方法在Si(100)衬底上淀积纯铁薄膜,在不同温度下(200—400℃)硫化10h得到FeS_2薄膜,并对其进行晶体结构和表面成分分析。X射线光电子能谱(XPS)研究表明:低温硫化时易生成硫单质相,随温度的升高,S单质相部分参加反应变为FeS_2相,FeS_2的S_2p峰出现在低能位置,而遗留的单质S的S2p束缚能位置不变。卢瑟福背散射(RBS)测得400℃时薄膜中元素Fe/S接近FeS_2的理想化学计量比。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222159]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 高能物理研究所_核技术应用研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张辉,王宝义,张仁刚,等. 硫化法制备FeS_2薄膜晶体结构和表面特性的研究[J]. 核技术,2004(12):939-942. |
| APA | 张辉.,王宝义.,张仁刚.,万冬云.,马创新.,...&魏龙.(2004).硫化法制备FeS_2薄膜晶体结构和表面特性的研究.核技术(12),939-942. |
| MLA | 张辉,et al."硫化法制备FeS_2薄膜晶体结构和表面特性的研究".核技术 .12(2004):939-942. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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