氧化钨薄膜变色机理研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 马创新 ; 周春兰; 秦秀波; 王宝义; 魏龙; 奎热西; 钱海杰; 苏润; 钟俊
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| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 12页码:943-945 |
| 关键词 | 三氧化钨 热致变色 电致变色 机理 表面 |
| 其他题名 | STUDIES ON CHROMOGENIC MECHNISM OF TUNGSTEN OXIDE THIN FILMS |
| 通讯作者 | 马创新 |
| 中文摘要 | 利用慢正电子束流技术和X射线光电子能谱研究了热致变色和电致变色三氧化钨(WO_3)薄膜中W离子在膜内和表面的分布。结合其变色性能,讨论了热致变色和电致变色之间的相关性。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222168]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 高能物理研究所_核技术应用研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马创新,周春兰,秦秀波,等. 氧化钨薄膜变色机理研究[J]. 核技术,2004(12):943-945. |
| APA | 马创新.,周春兰.,秦秀波.,王宝义.,魏龙.,...&钟俊.(2004).氧化钨薄膜变色机理研究.核技术(12),943-945. |
| MLA | 马创新,et al."氧化钨薄膜变色机理研究".核技术 .12(2004):943-945. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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