GaN表面极性的光电子衍射研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐彭寿; 邓锐; 潘海斌; 徐法强; 谢长坤; 李拥华; 刘凤琴; 易布拉欣·奎热西 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 4页码:1171-1176 |
| 关键词 | GaN 表面极性 光电子衍射 |
| 其他题名 | Photoelectron diffraction study on the polarity of GaN surface |
| 中文摘要 | 利用x射线光电子衍射的极角扫描模式 ,采集了GaN(0 0 0 1)表面由 (10 10 )和 (112 0 )晶面产生的光电子衍射实验曲线 ,并运用光电子衍射的前向聚焦效应确定了GaN(0 0 0 1)表面是Ga在最外层的极性面 .利用与能量有关的光电子衍射即角分辨光电发射精细结构谱技术并结合多重散射团簇模型计算对GaN(0 0 0 1)表面的极化性质进行了研究 ,进一步证实了GaN表面是Ga在最外层的极性面 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222200]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐彭寿,邓锐,潘海斌,等. GaN表面极性的光电子衍射研究[J]. 物理学报,2004(4):1171-1176. |
| APA | 徐彭寿.,邓锐.,潘海斌.,徐法强.,谢长坤.,...&易布拉欣·奎热西.(2004).GaN表面极性的光电子衍射研究.物理学报(4),1171-1176. |
| MLA | 徐彭寿,et al."GaN表面极性的光电子衍射研究".物理学报 .4(2004):1171-1176. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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