Sol-Gel法制备硅基钛酸铋铁电薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭冬云; 王耘波; 于军; 李建军; 周春兰; 王雨田; 魏龙
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| 刊名 | 压电与声光
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 3页码:228-230 |
| 关键词 | Sol-Gel法 Bi4Ti3O12 铁电薄膜 |
| 其他题名 | Study of Bi4Ti3O12 Ferroelectric Thin Films Prepared on p-Si Substrates by Sol-Gel Method |
| 中文摘要 | 介绍溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备Bi4Ti3O12薄膜的工艺过程;对前驱体溶液进行了综合热分析,并对薄膜的性质进行了研究;成功地在p-Si衬底上制备出随机取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜。在650°C下退火30min得到的Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度Pr=12μC/cm2,矫顽场强Ec=130kV/cm。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222209]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭冬云,王耘波,于军,等. Sol-Gel法制备硅基钛酸铋铁电薄膜[J]. 压电与声光,2004(3):228-230. |
| APA | 郭冬云.,王耘波.,于军.,李建军.,周春兰.,...&魏龙.(2004).Sol-Gel法制备硅基钛酸铋铁电薄膜.压电与声光(3),228-230. |
| MLA | 郭冬云,et al."Sol-Gel法制备硅基钛酸铋铁电薄膜".压电与声光 .3(2004):228-230. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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