低温MOCVD法沉积的GaN/GaAs(001)薄膜中的孪晶现象(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 沈晓明; 王玉田; 王建峰; 刘建平; 张纪才; 郭立平; 贾全杰 ; 姜晓明; 胡正飞; 杨辉
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 4页码:645-650 |
| 关键词 | X射线衍射 金属有机物化学气相沉积 氮化物 |
| 其他题名 | Twinning in Low-Temperature MOCVD Grown GaN on ( 001) GaAs Substrate |
| 中文摘要 | 采用同步辐射XRD极图法对低温MOCVD生长的GaN缓冲层薄膜进行了研究.极图研究表明,低温GaN 薄膜中除有正常结晶外还存在一次孪晶和二次孪晶.在χ固定为55°时的{111}φ扫描中发现了异常的Bragg衍射峰,表明GaN/GaAs(001)低温生长中孪晶现象非常明显.GaAs(001)表面上出现的{111}小面极性会在生长初期影响孪晶成核,实验结果表明孪晶更易在{111}B面即N面上成核. |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222246]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈晓明,王玉田,王建峰,等. 低温MOCVD法沉积的GaN/GaAs(001)薄膜中的孪晶现象(英文)[J]. 半导体学报,2005(4):645-650. |
| APA | 沈晓明.,王玉田.,王建峰.,刘建平.,张纪才.,...&梁骏吾.(2005).低温MOCVD法沉积的GaN/GaAs(001)薄膜中的孪晶现象(英文).半导体学报(4),645-650. |
| MLA | 沈晓明,et al."低温MOCVD法沉积的GaN/GaAs(001)薄膜中的孪晶现象(英文)".半导体学报 .4(2005):645-650. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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