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Ti离子在介孔MCM-41中涂敷合成条件研究

文献类型:期刊论文

作者吴秀文; 马鸿文; 李志宏; 吴忠华; 杨静
刊名材料导报
出版日期2005
期号10页码:139-142
关键词介孔分子筛 MCM-41 涂敷合成 SAXS
其他题名THE STUDY OF Ti POST-SYNTHESIS IN MESOPOROUS MCM-41
中文摘要在空气环境中,以无水乙醇为中间介质,常温涂敷法合成了 Ti-MCM-41介孔分子筛,实验研究了不同Ti/Si 摩尔比和钛源等因素对 Ti-MCM-41合成的影响。XRD 研究表明,随 Ti/Si 摩尔比由0.01增加到0.10.衍射参数 d_(100)由3.98nm 缩小为3.65nm,100衍射峰强相对于 MCM-41下降了33%~84%;以钛酸四丁酯和四氯化钛为钛源合成 Ti-MCM-41时,100衍射峰强相对 MCM-41分别下降了33%和59%;SAXS 得到的 Ti-MCM-41孔径与 TEM照片的结果符合,好于 N_2吸附-脱附等温线方法得到的结果,SAXS、TEM、N_2吸附-脱...
公开日期2016-02-25
源URL[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222247]  
专题高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
吴秀文,马鸿文,李志宏,等. Ti离子在介孔MCM-41中涂敷合成条件研究[J]. 材料导报,2005(10):139-142.
APA 吴秀文,马鸿文,李志宏,吴忠华,&杨静.(2005).Ti离子在介孔MCM-41中涂敷合成条件研究.材料导报(10),139-142.
MLA 吴秀文,et al."Ti离子在介孔MCM-41中涂敷合成条件研究".材料导报 .10(2005):139-142.

入库方式: OAI收割

来源:高能物理研究所

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