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电气石裂变径迹蚀刻条件研究

文献类型:期刊论文

作者高绍凯; 袁万明; 董金泉; 王世成
刊名核技术
出版日期2005
期号9页码:681-683
关键词电气石 裂变径迹 蚀刻条件
其他题名Fission track etching condition of tourmaline
通讯作者高绍凯
中文摘要通过对3个不同样品中的电气石颗粒进行蚀刻,详细探讨了电气石裂变径迹的最佳蚀刻条件。实验结果表明,当用40%的HF在35℃下蚀刻30min或用KOH在40℃蚀刻20min时,在显微镜下都可在平行于矿物c轴的晶面方向上观察到裂变径迹。
公开日期2016-02-25
源URL[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222284]  
专题高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
高绍凯,袁万明,董金泉,等. 电气石裂变径迹蚀刻条件研究[J]. 核技术,2005(9):681-683.
APA 高绍凯,袁万明,董金泉,&王世成.(2005).电气石裂变径迹蚀刻条件研究.核技术(9),681-683.
MLA 高绍凯,et al."电气石裂变径迹蚀刻条件研究".核技术 .9(2005):681-683.

入库方式: OAI收割

来源:高能物理研究所

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