ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王宝义 ; 张仁刚; 张辉; 万冬云; 魏龙
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 4页码:1874-1878 |
| 关键词 | ZnS薄膜 磁控溅射 ZnO硫化 太阳电池 |
| 其他题名 | Influence of annealing conditions of ZnO films on the properties of ZnS films prepared by sulfurizing ZnO films |
| 通讯作者 | 王宝义 |
| 中文摘要 | 采用反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜 ,然后经过不同条件退火和在H2 S气氛中硫化最终得到ZnS薄膜 .用x射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和UV—VIS分光光度计对ZnS薄膜样品进行了分析 .结果表明 ,ZnO薄膜硫化后的晶体结构和光学性质取决于它的退火条件 .真空和纯O2 中退火的ZnO薄膜硫化后只是部分形成六角晶系结构的ZnS .而在空气和纯N2 中退火的ZnO薄膜则全部转变为ZnS ,在可见光范围内的光透过率可达约 80 % ,禁带宽度分别为 3 6 6和 3 6 1eV .ZnO薄膜的富氧、贫氧和近化学计量比状态是导致其硫化后性质差异的主要原因 . |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222326]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王宝义,张仁刚,张辉,等. ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响[J]. 物理学报,2005(4):1874-1878. |
| APA | 王宝义,张仁刚,张辉,万冬云,&魏龙.(2005).ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响.物理学报(4),1874-1878. |
| MLA | 王宝义,et al."ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响".物理学报 .4(2005):1874-1878. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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