孤立分散在SiO_2基质中的半导体InSb纳米颗粒界面效应的MS-XANES研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈栋梁 ; 吴自玉; 韦世强
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| 刊名 | 高能物理与核物理
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 5页码:476-480 |
| 关键词 | InSb纳米颗粒 界面效应 MS-XANES计算 |
| 其他题名 | MS-XANES Studies on the Interface Eect of Semiconductor InSb Nanoparticles Embedded in a-SiO2 Matrix |
| 通讯作者 | 吴自玉 |
| 中文摘要 | 利用MS-XANES计算研究了嵌入在SiO2介质中的InSb纳米颗粒的界面效应,结果显示Sb K-XANES实验谱在白线峰强度增大和白线峰向高能一侧展宽这两个特点的起因是:1．SiO2介质透过界面处强的Sb-O共价键间接地影响和改变了InSb团簇中Sb原子内部的势分布;2．通过InSb纳米颗粒界面处存在着强的Sb-O共价键使得Sb原子的5p电子被耗尽来提高InSb纳米颗粒Sb原子的5p的空穴数．这两方面共同决定了InSb纳米颗粒的Sb K-XANES实验谱在白线峰强度的增大．此外,由于纳米颗粒的界面效应,仅仅把白线峰的强度增大归因于吸收原子电荷转移带来的空穴数增加,并依此通过白线峰的强度计算吸... |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222400]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈栋梁,吴自玉,韦世强. 孤立分散在SiO_2基质中的半导体InSb纳米颗粒界面效应的MS-XANES研究[J]. 高能物理与核物理,2006(5):476-480. |
| APA | 陈栋梁,吴自玉,&韦世强.(2006).孤立分散在SiO_2基质中的半导体InSb纳米颗粒界面效应的MS-XANES研究.高能物理与核物理(5),476-480. |
| MLA | 陈栋梁,et al."孤立分散在SiO_2基质中的半导体InSb纳米颗粒界面效应的MS-XANES研究".高能物理与核物理 .5(2006):476-480. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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