脉冲慢正电子束流的直流化装置
文献类型:期刊论文
作者 | 魏存峰![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
刊名 | 高能物理与核物理
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出版日期 | 2006 |
期号 | 10页码:1010-1013 |
关键词 | 彭宁离子阱 直流化 慢正电子束流 正电子湮没 |
其他题名 | A Device Used in Pulsed Slow Positron Beam's Stretching |
通讯作者 | 魏存峰 ; 魏龙 |
中文摘要 | 在基于加速器的北京慢正电子强束流装置上,用Penning-Trap技术实现了脉冲慢正电子束流的存储和直流化.实验表明,系统的真空度对正电子的存储效率有严重影响,脉冲正电子的释放方式决定了直流化后束流的能量分散;改变释放级信号波形以及释放方式可以得到能量分散小于1eV的准直流化慢正电子束流. |
公开日期 | 2016-02-25 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222403] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 高能物理研究所_核技术应用研究中心 中国科学院高能物理研究所_中国散裂中子源 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏存峰,王宝义,王平,等. 脉冲慢正电子束流的直流化装置[J]. 高能物理与核物理,2006(10):1010-1013. |
APA | 魏存峰.,王宝义.,王平.,曹兴忠.,章志明.,...&魏龙.(2006).脉冲慢正电子束流的直流化装置.高能物理与核物理(10),1010-1013. |
MLA | 魏存峰,et al."脉冲慢正电子束流的直流化装置".高能物理与核物理 .10(2006):1010-1013. |
入库方式: OAI收割
来源:高能物理研究所
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