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真空蒸发制备Cd(Se;S)薄膜及其光学性能研究

文献类型:期刊论文

作者李蓉萍; 荣利霞
刊名真空科学与技术
出版日期2004
期号3页码:219-221
关键词Cd(Se S)薄膜 薄膜制备 真空蒸发 性能研究
其他题名PROPERTY STUDY OF Zn( S, Se) THIN FILMS PREPARED BY VACUUM EVAPORETION
中文摘要利用真空蒸发技术在CdS粉末中掺入不同比例的Se粉末作源 ,选择合适的工艺条件在玻璃衬底上获得了性能稳定的Cd(Se ,S)薄膜 ,薄膜为纤锌矿结构 ,具有沿 [0 0 2 ]晶向的择优取向。Cd(Se ,S)薄膜为n型材料 ,在可见光范围内具有良好的透过率。随Se成分的增加 ,薄膜由透明橘黄色变为透明棕红色 ,吸收限向长波方向移动
公开日期2016-02-25
源URL[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222438]  
专题高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
李蓉萍,荣利霞. 真空蒸发制备Cd(Se;S)薄膜及其光学性能研究[J]. 真空科学与技术,2004(3):219-221.
APA 李蓉萍,&荣利霞.(2004).真空蒸发制备Cd(Se;S)薄膜及其光学性能研究.真空科学与技术(3),219-221.
MLA 李蓉萍,et al."真空蒸发制备Cd(Se;S)薄膜及其光学性能研究".真空科学与技术 .3(2004):219-221.

入库方式: OAI收割

来源:高能物理研究所

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