中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
FeS_2多晶薄膜电子结构的实验研究

文献类型:期刊论文

作者张辉; 王宝义; 张仁刚; 张哲; 钱海杰; 苏润; 奎热西; 魏龙
刊名物理学报
出版日期2006
期号5页码:2482-2487
关键词磁控溅射 二硫化铁 X射线吸收近边结构 电子结构
其他题名Experimental studies on the electronic structure of pyrite FeS2 films prepared by thermally sulfurizing iron films
通讯作者张辉
中文摘要用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe3d态密度存在,同时,在价带谱中2—10eV处有强度较大的S3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2·1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2·4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2·8eV.
公开日期2016-02-25
源URL[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222446]  
专题高能物理研究所_多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张辉,王宝义,张仁刚,等. FeS_2多晶薄膜电子结构的实验研究[J]. 物理学报,2006(5):2482-2487.
APA 张辉.,王宝义.,张仁刚.,张哲.,钱海杰.,...&魏龙.(2006).FeS_2多晶薄膜电子结构的实验研究.物理学报(5),2482-2487.
MLA 张辉,et al."FeS_2多晶薄膜电子结构的实验研究".物理学报 .5(2006):2482-2487.

入库方式: OAI收割

来源:高能物理研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。