FeS_2多晶薄膜电子结构的实验研究
文献类型:期刊论文
作者 | 张辉; 王宝义![]() ![]() ![]() ![]() |
刊名 | 物理学报
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出版日期 | 2006 |
期号 | 5页码:2482-2487 |
关键词 | 磁控溅射 二硫化铁 X射线吸收近边结构 电子结构 |
其他题名 | Experimental studies on the electronic structure of pyrite FeS2 films prepared by thermally sulfurizing iron films |
通讯作者 | 张辉 |
中文摘要 | 用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe3d态密度存在,同时,在价带谱中2—10eV处有强度较大的S3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2·1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2·4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2·8eV. |
公开日期 | 2016-02-25 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222446] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张辉,王宝义,张仁刚,等. FeS_2多晶薄膜电子结构的实验研究[J]. 物理学报,2006(5):2482-2487. |
APA | 张辉.,王宝义.,张仁刚.,张哲.,钱海杰.,...&魏龙.(2006).FeS_2多晶薄膜电子结构的实验研究.物理学报(5),2482-2487. |
MLA | 张辉,et al."FeS_2多晶薄膜电子结构的实验研究".物理学报 .5(2006):2482-2487. |
入库方式: OAI收割
来源:高能物理研究所
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