国产GSO晶体的光产额测量
文献类型：期刊论文
| 作者 | 章志明 ; 李道武; 王宝义; 张天保; 魏龙
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| 刊名 | 核电子学与探测技术
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 4页码:727-729 |
| 关键词 | GSO晶体 光产额 单光电子 |
| 其他题名 | Measuring of light yield for GSO crystal produced in China |
| 通讯作者 | 章志明 |
| 中文摘要 | 采用与单光电子相比较的方法测量了国产GSO晶体样品的光电子产额,结果表明,GSO样品的光电子产额及能量分辨率与闪烁体在光电倍增管光阴极面上的放置方式有关,在较好条件下,被测GSO晶体的光电子产额可到2013phe/MeV,对137Cs 661.6keV光峰的能量分辩为FWHM=10.1%。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222509]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 高能物理研究所_核技术应用研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 章志明,李道武,王宝义,等. 国产GSO晶体的光产额测量[J]. 核电子学与探测技术,2007(4):727-729. |
| APA | 章志明,李道武,王宝义,张天保,&魏龙.(2007).国产GSO晶体的光产额测量.核电子学与探测技术(4),727-729. |
| MLA | 章志明,et al."国产GSO晶体的光产额测量".核电子学与探测技术 .4(2007):727-729. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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