正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张兰芝; 王宝义 ; 王丹妮; 魏龙; 林均品; 王文俊
|
| 刊名 | 金属学报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 3页码:269-272 |
| 关键词 | 正电子湮没寿命 二维符合Doppler TiAl合金 |
| 其他题名 | STUDY OF DOPING EFFECT OF Nb IN TiAl ALLOY BY POSITRON ANNIHILATION SPECTRUM |
| 通讯作者 | 张兰芝 |
| 中文摘要 | 利用正电子湮没寿命谱(PALS)和符合Doppler展宽(CDB)技术研究了Ti_(51)Al_(49)合金中Nb的掺杂效应．结果表明:低含量掺杂时,Nb原子主要偏聚在合金晶界处,提高了晶界位置的自由电子密度,有利于改善合金的室温韧性;而较高含量的Nb掺杂时,由于形成了新的晶体结构,合金基体及晶界处的自由电子密度减少,导致合金的脆性增加． |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222535]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张兰芝,王宝义,王丹妮,等. 正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应[J]. 金属学报,2007(3):269-272. |
| APA | 张兰芝,王宝义,王丹妮,魏龙,林均品,&王文俊.(2007).正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应.金属学报(3),269-272. |
| MLA | 张兰芝,et al."正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应".金属学报 .3(2007):269-272. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。