锆离子注入锆-4合金缺陷的慢正电子研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郝小鹏; 王宝义 ; 于润升; 魏龙
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 11页码:6543-6546 |
| 关键词 | 锆离子注入 慢正电子束 缺陷 |
| 其他题名 | Zirconium-ion implantation of zircaloy-4 investiged by slow positron beam |
| 通讯作者 | 郝小鹏 |
| 中文摘要 | 采用慢正电子束多普勒展宽谱研究了Zr离子注入Zr-4合金产生的缺陷及其退火回复行为,发现经过大于离子注入剂量为1×1016cm-2的样品所产生的缺陷在注入过程中已经回复,而对剂量为1×1015cm-2样品做300℃退火处理,其缺陷基本回复,得出合金缺陷回复能较低的结论.考虑到材料的缺陷含量越高,其抗腐蚀性能越差,在辐照环境下通过给材料保持一定温度,即可使其缺陷得到较好回复,从而提高材料的抗腐蚀性能. |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222553]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郝小鹏,王宝义,于润升,等. 锆离子注入锆-4合金缺陷的慢正电子研究[J]. 物理学报,2007(11):6543-6546. |
| APA | 郝小鹏,王宝义,于润升,&魏龙.(2007).锆离子注入锆-4合金缺陷的慢正电子研究.物理学报(11),6543-6546. |
| MLA | 郝小鹏,et al."锆离子注入锆-4合金缺陷的慢正电子研究".物理学报 .11(2007):6543-6546. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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