氯化铯纳米岛生长技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 罗亮; 伊福廷 ; 张菊芳
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| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 1页码:189-192 |
| 关键词 | 纳米岛 自组装技术 NEMS 纳米加工技术 |
| 其他题名 | Growth of CsCl nanoislands |
| 通讯作者 | 罗亮 |
| 中文摘要 | 氯化铯纳米岛光刻技术是一种分子自组装光刻技术,该技术利用氯化铯在一定湿度下的自组装特性来形成具有一定尺寸和分布的原始氯化铯纳米岛结构,通过调整工艺条件可以适度控制氯化铯岛结构的尺寸和覆盖率。氯化铯岛结构的尺寸和覆盖率主要取决于氯化铯薄膜厚度、显影时间和相对湿度,其中膜厚的影响最大。通常在其他条件不变的情况下,薄膜越厚覆盖率越高,而显影时间越长覆盖率则可能越低。在厚度、相对湿度一定的情况下,显影时间较短时,岛结构以小直径为主,随着时间增加,该结构直径分布变得均匀,并且以大直径为主,两者都大致符合高斯分布。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222602]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗亮,伊福廷,张菊芳. 氯化铯纳米岛生长技术[J]. 功能材料与器件学报,2008(1):189-192. |
| APA | 罗亮,伊福廷,&张菊芳.(2008).氯化铯纳米岛生长技术.功能材料与器件学报(1),189-192. |
| MLA | 罗亮,et al."氯化铯纳米岛生长技术".功能材料与器件学报 .1(2008):189-192. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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