退火温度对CsI薄膜闪烁特性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 程峰; 钟玉荣; 王宝义 ; 王天民; 魏龙
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| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 1页码:15-18 |
| 关键词 | CsI薄膜 热蒸发 闪烁性能 |
| 其他题名 | Effects of annealing temperature on scintillation properties of thermally evaporated CsI films |
| 通讯作者 | 程峰 |
| 中文摘要 | 采用热蒸发法在玻璃衬底上沉积CsI薄膜,然后进行不同温度的真空热处理。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对CsI薄膜样品进行分析,测得~(241)Am的脉冲高度谱,通过单光子法测量样品的光产额。结果表明,该CsI薄膜沿(200)晶面择优取向生长。退火温度对CsI薄膜的晶体结构和闪烁性能有很大的影响。CsI薄膜经过250℃退火后,(200)晶面衍射峰明显增强,结晶状态最佳,光产额最高,而退火温度达400%时,薄膜结构发生显著变化,闪烁性能急剧下降。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222623]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程峰,钟玉荣,王宝义,等. 退火温度对CsI薄膜闪烁特性的影响[J]. 核技术,2008(1):15-18. |
| APA | 程峰,钟玉荣,王宝义,王天民,&魏龙.(2008).退火温度对CsI薄膜闪烁特性的影响.核技术(1),15-18. |
| MLA | 程峰,et al."退火温度对CsI薄膜闪烁特性的影响".核技术 .1(2008):15-18. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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