退火温度对CsI(T1)薄膜微观结构和闪烁性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 程峰; 钟玉荣; 王宝义 ; 王天民; 魏龙
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| 刊名 | 无机材料学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 期号 | 4页码:749-752 |
| 关键词 | CsI薄膜 微观结构 闪烁性能 |
| 其他题名 | Effect of Annealing Temperature on the Microstructure and Scintillation Properties of CsI(T1) Films |
| 通讯作者 | 程峰 |
| 中文摘要 | 采用真空热蒸发法制备了CsI(T1)薄膜,然后进行了不同温度的真空热处理.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线荧光光谱仪及正电子寿命谱仪对CsI(T1)薄膜样品进行了分析,并测得了样品的光产额.结果表明,该CsI(T1)薄膜沿(200)晶面择优取向生长.经过较低温度退火,CsI薄膜中的T1~+离子向薄膜表面扩散,薄膜中缺陷数量增加,且尺寸较大,光产额略微增高.经过250℃退火,薄膜中低温退火所形成缺陷得到恢复,薄膜缺陷尺寸变小,且数目减少,具有较好的结晶状态,光产额提高.经过400℃退火,薄膜结构发生显著变化,薄膜中缺陷大幅增加,结晶状态变差,Ti~+含量减少,光产额急剧下降. |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222637]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程峰,钟玉荣,王宝义,等. 退火温度对CsI(T1)薄膜微观结构和闪烁性能的影响[J]. 无机材料学报,2008(4):749-752. |
| APA | 程峰,钟玉荣,王宝义,王天民,&魏龙.(2008).退火温度对CsI(T1)薄膜微观结构和闪烁性能的影响.无机材料学报(4),749-752. |
| MLA | 程峰,et al."退火温度对CsI(T1)薄膜微观结构和闪烁性能的影响".无机材料学报 .4(2008):749-752. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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