合成金刚石晶体缺陷的同步辐射形貌研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张明; 于万里; 贾晓鹏; 马红安; 黄万霞 ; 袁清习
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| 刊名 | 材料工程
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| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 4页码:49-51+56 |
| 关键词 | 合成金刚石 同步辐射 位错 形貌像 生长带 |
| 其他题名 | Synchrotron Radiation Topographic Study of Crystal Defects in Synthetic Diamond |
| 中文摘要 | 采用同步辐射白光貌相术研究合成金刚石单晶体中的晶体缺陷,观察到晶体中存在籽晶,籽晶周围存在着大量的位错线。位错线起源于籽晶表面,终止于晶体表面。计算了位错束的空间走向和位错密度。分析了晶体的生长阶段和影响晶体缺陷的主要因素,指出通过减少籽晶表面的缺陷,保持生长条件的稳定,能够有效地降低合成金刚石晶体中缺陷的密度,提高合成金刚石晶体的完整性。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222674]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张明,于万里,贾晓鹏,等. 合成金刚石晶体缺陷的同步辐射形貌研究[J]. 材料工程,2009(4):49-51+56. |
| APA | 张明,于万里,贾晓鹏,马红安,黄万霞,&袁清习.(2009).合成金刚石晶体缺陷的同步辐射形貌研究.材料工程(4),49-51+56. |
| MLA | 张明,et al."合成金刚石晶体缺陷的同步辐射形貌研究".材料工程 .4(2009):49-51+56. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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