GaN基激光器多量子阱垒材料的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈伟华; 廖辉; 胡晓东; 李睿; 贾全杰 ; 金元浩; 杜为民; 杨志坚; 张国义
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| 刊名 | 光谱学与光谱分析
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| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 6页码:1441-1444 |
| 关键词 | GaN基激光器 多量子阱(MQWs) AlInGaN 垒材料 |
| 其他题名 | Research on AlInGaN Quaternary Alloys as MQW Barriers in GaN-Based Laser Diodes |
| 中文摘要 | 在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明,相对于GaN垒材料,InGaN垒材料,AlInGaN四元合金垒材料更能改善多量子阱的晶体质量,提高量子阱的量子效率及降低激光器阈值电流。相关的机制为:组分调节合适的四元合金垒层中Al的掺入使得量子阱势垒高度增加,阱区收集载流子的能力增强;In的掺入能更多地补偿应力,减少了由于缺陷和位错所产生的非辐射复合中心密度;In的掺入还减小... |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/222680]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈伟华,廖辉,胡晓东,等. GaN基激光器多量子阱垒材料的研究[J]. 光谱学与光谱分析,2009(6):1441-1444. |
| APA | 陈伟华.,廖辉.,胡晓东.,李睿.,贾全杰.,...&张国义.(2009).GaN基激光器多量子阱垒材料的研究.光谱学与光谱分析(6),1441-1444. |
| MLA | 陈伟华,et al."GaN基激光器多量子阱垒材料的研究".光谱学与光谱分析 .6(2009):1441-1444. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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